文 | 金融传媒 陈砚
2026年6月22日这一天，韩国资本市场上演了具有里程碑意义的场景。
SK海力士的股价录得5.61%的涨幅，其市值攀升至2080.38万亿韩元，折合约1.35万亿美元，这不仅超越了三星电子的2066.66万亿韩元，更宣告了三星电子自2000年11月起持续25年以上的韩国市值头把交椅地位终结。
回溯到1999年7月，三星电子便稳居韩国股市榜首，直至此刻，这宝座终于易主。
曾几何时，一家被众多财阀拒之门外、被视为“弃子”的企业，用14年时间，成功逆袭，夺回了韩国半导体领域的霸主地位。
从现代集团的“弃子”到SK集团的“养子”
SK海力士的发展历程始于1983年现代集团旗下现代电子工业公司的成立。在韩国政府将半导体产业定位为国家战略重点的背景下，现代电子承担了推动产业发展的任务。
1999年，现代电子以21亿美元的代价收购了LG半导体，使得其DRAM市场份额一度超过三星。然而，这背后是沉重的负债包袱。2000年互联网泡沫破裂，DRAM市场价格断崖式下跌，现代电子最终陷入困境。
2001年，现代电子脱离现代集团，更名为海力士半导体。同年11月，公司被债权银行团接管。2002年，美光公司提出收购计划，但因遭到董事会和工会的强大阻力而未能成行。
随后的十年里，海力士在债权人托管的名义下艰难维持运营。这期间，公司经历了多次债务重组，也伴随着内存价格的波动起伏。2010年债权银行进行第二次招标，但未有企业表示收购意向。直至2012年第三次招标——SK集团以约30亿美元的价格成为唯一出价者，成功获得了海力士21.05%的股权。
签约当晚，SK集团会长崔泰源曾掷地有声地说道：“我投注的并非海力士本身。我投注的是信息，即将成为未来的石油。”
两个“亚军”的豪情赌局
2013年，经历初步稳定的SK海力士作出了一个改变命运的决定——前瞻性地押注HBM（高带宽内存）市场。
彼时的SK海力士虽在存储行业内排名第二，时刻面临着三星的竞争压力。同样在GPU领域，AMD同样受到英伟达的压制。这两个“亚军”决定携手合作，共同研发第一代HBM。2015年，搭载HBM1的AMD Fiji系列显卡问世。
第一代HBM的商业表现并不理想。但第二代HBM开始在超算和数据中心市场展示其价值。更为关键的是，英伟达公司也逐渐认识到HBM的重要性。2016年发布的Tesla P100，让业界首次形成了共识：HBM或许不适合消费级显卡，但在大规模并行计算领域具有巨大潜力。
真正的转折点发生在2021年。SK海力士率先开发出HBM3技术，并于2022年实现大规模量产。搭载了HBM3技术的正是在英伟达H100显卡上。随着AI大模型训练需求的井喷式增长，SK海力士成为了H100最核心的HBM供应商，甚至在早期阶段是唯一的供应商。
HBM领域的“护城河”：为何是SK海力士？
在HBM市场的“三巨头”中，SK海力士之所以能率先与英伟达建立紧密合作关系，其关键在于封装工艺的领先优势。
SK海力士采用了批量回流模制底部填充技术（MR-MUF）。该技术的核心之处在于：将多层芯片堆叠起来，通过整体加热进行焊接，然后整体注入环氧树脂材料进行固定。而三星则选择了热压非导电薄膜技术（TC-NCF），后者采用的是逐片进行热压的方式。
从HBM3开始，随着堆叠层数从8层向12层、16层迈进，TC-NCF技术的缺陷逐渐暴露：堆叠层数愈多，热压次数也愈多，芯片被损坏的风险便愈高，良率随之降低。更关键的问题是散热——MR-MUF能够设置的导热凸点数量是TC-NCF的4倍。
导热凸点数量的优势，意味着位于最内层的芯片能够通过凸点逐层传递热量至最外层。面对功率日益增强的AI芯片需求，这种技术差距成为了决定成败的关键因素。
从逆境中崛起的代价
SK海力士的这场逆袭，其成果体现在每一个财务数据之中。
2026年第一季度，公司营收达到52.58万亿韩元，历史性地突破了50万亿大关；营业利润为37.61万亿韩元，同比增长了405%；净利润更是高达40.35万亿韩元，同比增长398%。
营业利润率高达72%，这一数字超越了英伟达（大约65%）的水平。
