芯片制造工艺中，光刻机的地位举足轻重。EUV光刻机更是关键，它是生产7nm及以下芯片的核心设备，全球范围内只有ASML有能力制造。美国还限制ASML向我国出售EUV光刻机，足见其价值。我国没有EUV光刻机，进入7nm以下工艺就显得格外艰难。即便通过多重曝光技术，实现了7nm和5nm的生产，良率和成本依然不具备优势。
芯片发展进入3nm、2nm节点后，物理极限和经济极限相继显现。晶体管微缩的道路已到尽头，芯片制造开始迈向新纪元。这一新阶段的核心技术是3D技术，包括堆叠和3D封装等，通过将平面芯片立体化设计，性能提升无需依赖晶体管微缩。
在3D技术背景下，关键设备不再局限于光刻机，刻蚀机和混合键合机的重要性日益凸显。刻蚀机主要用于芯片制造，混合键合机则应用于封装环节。因此，前端工艺中最关键的是刻蚀机。
刻蚀机和光刻机的作用是相互配合的。光刻机将芯片电路图通过光线转印至硅晶圆上，而刻蚀机则将多余的部分腐蚀，仅保留必要部分。在平面结构芯片中，光刻机更为重要，但在立体结构下，晶体管排列极为复杂，刻蚀机的作用愈发关键，甚至超越光刻机，成为决定芯片性能的核心工艺。
与光刻机受制于人不同，刻蚀机领域我国已达到世界领先水准。国产刻蚀机龙头中微公司，已成功进入台积电供应链，其工艺水准完全达到3nm级别，不逊于全球顶尖厂商。而且，中微公司的刻蚀机已实现零部件100%国产化，彻底摆脱对外国技术和元件的依赖，避免了被卡脖子的风险。
芯片行业持续发展，进入3D时代时，我国底气将更足。再加上华为的坚守，中国芯片产业的崛起已是不可阻挡之势。
